What are the skill requirements for sputtering targets?
現在很多客戶對濺射靶材有了一定的瞭解，但不是特別清楚和瞭解。 讓我來解釋一下濺射的技能要求是什麼鈦-target.html>鈦靶s 如果你有不同的意見，歡迎大家一起討論和學習！
&emsp& emsp； 1.純度要求
&emsp& emsp； 的純度鈦靶材對濺射薄膜的效能有很大的影響。 的純度越高鈦靶，濺射鈦膜中的雜質元素顆粒越少，從而獲得更好的膜效能，包括更好的耐腐蝕性以及電學和光學效能。 然而，在實際應用中，不同用途的鈦靶的純度要求不同。
例如，一般裝潢塗料對鈦靶材的純度要求並不嚴格，而集成電路、顯示體等領域對鈦靶料的純度要求要高得多。 靶是濺射中的陰極源，資料中的雜質元素和孔隙摻雜是沉積膜的主要污染源。 在鑄錠無損檢測過程中，孔隙摻雜基本上會被去除，未被去除的孔隙摻雜會在濺射過程中引起放電，從而影響薄膜的質量； 雜質元素的含量只能反映在全元素分析測試的結果中，總雜質含量越低，鈦靶的純度越高。
&emsp& emsp； 2.細微性要求均勻
通常鈦靶具有多晶結構，並且晶粒尺寸可以在微米到毫米的範圍內。 細晶粒靶的濺射速率比粗晶粒靶的快。 噴射沉積膜的厚度分佈也相對均勻。 研究發現，如果將鈦靶的晶粒尺寸控制在100 pμm以下，並將晶粒尺寸的變化控制在20%以內，則可以大大提高濺射膜的質量。 集成電路用鈦靶材的均勻晶粒度要求在30μm以內，超細晶粒鈦靶材均勻晶粒度在10μm以下。
&emsp& emsp； 3.晶體取向要求
金屬鈦具有緊密堆積的六邊形結構。 在濺射過程中，鈦靶的原子簡單地沿著原子的六邊形方向濺射。 囙此，為了實現高濺射率，可以改變靶材的晶體結構。 新增了濺射速率。 現時，大多數集成電路鈦靶都有60%以上的濺射表面晶面族，不同廠家生產的靶晶粒取向略有不同，鈦靶的結晶方向對濺射膜厚度均勻性影響較大。 平面顯示器和裝潢塗層的膜尺寸相對較厚，囙此對相應鈦靶的晶粒取向要求相對較低。
&emsp& emsp； 4.結構均勻性要求
&emsp& emsp； 結構均勻性也是檢測靶材質量的重要技術指標之一。 關於鈦靶，不僅需要靶的濺射平面，還需要濺射平面的法線方向上的均勻晶粒尺寸的組成、晶粒取向和均勻性。 只有這樣，才能在鈦靶的使用壽命內，同時獲得厚度均勻、品質可靠、晶粒度一般的鈦膜。
&emsp& emsp； 5.幾何形狀和比例要求
&emsp& emsp； 主要體現在加工精度和加工質量上，如加工規模、表面平整度、粗糙度等。如果安裝孔角度偏差過大，則無法正確安裝； 如果厚度尺度過小，會影響靶材的使用壽命； 如果密封面和密封槽過於粗糙，則會導致靶標安裝後出現真空問題，嚴重導致漏水； 靶子飛濺射擊表面的粗糙化處理可以使靶子表面覆蓋厚厚的突起。 在這種效應的作用下，這些突起的電勢會大大新增，從而破壞介電放電，但過大的突起會影響濺射和濺射的質量。穩定性是一個缺點。
&emsp& emsp； 6.焊接要求
通常，對於高熔點鈦和低熔點鋁材料的分散焊接，主要是基於單向或雙向加壓的真空分散連接科技或採用熱等靜壓科技來實現鈦和鋁金屬材料的高壓、中低溫直接分散連接。
對濺射靶材的要求比傳統資料工業的要求更高。 一般要求，如尺寸、平整度、純度、各種雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒度、缺陷控制； 更高的要求或特殊要求包括：表面粗糙度、電阻值、晶粒度均勻性、成分和結構均勻性、异物（氧化物）含量和尺寸、磁導率、超高密度和超細晶粒等。磁控濺射塗層是一種新型的物理氣相塗層方法，它利用電子槍系統發射電子並聚焦在待塗層材料上，使濺射的原子遵循動量轉換原理，與具有高動能的資料分離。飛到基底上沉積薄膜。 這種電鍍資料被稱為濺射靶材。
